Principes fondamentaux des dispositifs à semi-conducteurs de puissance

Principes fondamentaux des dispositifs à semi-conducteurs de puissance (Jayant Baliga B.)

Avis des lecteurs

Résumé:

Le livre sur les dispositifs à semi-conducteurs de puissance, en particulier les IGBT, est très apprécié pour ses connaissances approfondies et ses applications pratiques. Il est considéré comme un texte de référence utile pour les professionnels et les étudiants dans ce domaine, bien qu'il présente des difficultés pour les débutants et dans certains formats.

Avantages:

⬤ Excellente couverture des IGBT et des dispositifs à semi-conducteurs de puissance.
⬤ Contient des introductions répétées des concepts clés, ce qui facilite la compréhension des différents sujets.
⬤ Les illustrations pratiques et les tracés sont utiles aux professionnels.
⬤ Complet et mis à jour par rapport aux éditions précédentes.
⬤ Comprend des questions de fin de chapitre utiles pour l'enseignement.

Inconvénients:

⬤ La lourdeur du texte due aux concepts répétitifs peut être pénible à lire.
⬤ Il n'est pas idéal pour les débutants ou comme manuel autonome pour apprendre les bases de la physique des semi-conducteurs.
⬤ Les images et les formules floues de la version Kindle peuvent gêner la compréhension.
⬤ Certains utilisateurs trouvent qu'il est difficile d'apprendre à partir de zéro sans être guidé.

(basé sur 13 avis de lecteurs)

Titre original :

Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Contenu du livre :

Fundamentals of Power Semiconductor Devices propose un traitement approfondi de la physique du fonctionnement des dispositifs à semi-conducteurs de puissance couramment utilisés dans l'industrie de l'électronique de puissance.

Des modèles analytiques expliquant le fonctionnement de tous les dispositifs à semi-conducteurs de puissance sont présentés. Le traitement se concentre sur les dispositifs au silicium et inclut les attributs uniques et les exigences de conception pour les dispositifs émergents au carbure de silicium.