Dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande passante : Matériaux, physique, conception et applications

Dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande passante : Matériaux, physique, conception et applications (Jayant Baliga B.)

Titre original :

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications

Contenu du livre :

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices : Materials, Physics, Design and Applications (matériaux, physique, conception et applications) offre aux lecteurs une ressource unique expliquant pourquoi ces dispositifs sont supérieurs aux dispositifs en silicium existants.

Ce livre jette les bases d'une compréhension de toute une série d'applications et des avantages escomptés en matière d'économies d'énergie. Rédigé par le fondateur du centre de recherche sur les semi-conducteurs de puissance de l'université d'État de Caroline du Nord (et créateur du dispositif IGBT), le Dr B.

Jayant Baliga est l'un des experts les plus réputés dans ce domaine. Il dirige donc cette équipe qui examine en détail les matériaux, la physique des dispositifs, les considérations de conception et les applications pertinentes abordées.

Autres informations sur le livre :

ISBN :9780081023068
Auteur :
Éditeur :
Langue :anglais
Reliure :Broché
Année de publication :2018
Nombre de pages :418

Achat:

Actuellement disponible, en stock.

Je l'achète!

Autres livres de l'auteur :

Principes fondamentaux des dispositifs à semi-conducteurs de puissance - Fundamentals of Power...
Fundamentals of Power Semiconductor Devices...
Principes fondamentaux des dispositifs à semi-conducteurs de puissance - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Dispositifs de puissance en nitrure de gallium et en carbure de silicium - Gallium Nitride and...
Au cours des 30 dernières années, des progrès...
Dispositifs de puissance en nitrure de gallium et en carbure de silicium - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Le dispositif IGBT : Physique, conception et applications du transistor bipolaire à porte isolée -...
Le dispositif IGBT : Physique, conception et...
Le dispositif IGBT : Physique, conception et applications du transistor bipolaire à porte isolée - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Dispositifs de puissance en carbure de silicium - Silicon Carbide Power Devices
Les dispositifs semi-conducteurs de puissance sont...
Dispositifs de puissance en carbure de silicium - Silicon Carbide Power Devices
Dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande passante : Matériaux, physique, conception...
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices :...
Dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande passante : Matériaux, physique, conception et applications - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Dispositifs de puissance modernes en carbure de silicium - Modern Silicon Carbide Power...
Les dispositifs de puissance en carbure de...
Dispositifs de puissance modernes en carbure de silicium - Modern Silicon Carbide Power Devices
Concepts avancés des mosfets de puissance - Advanced Power Mosfet Concepts
Au cours de la dernière décennie, de nombreux nouveaux concepts ont été...
Concepts avancés des mosfets de puissance - Advanced Power Mosfet Concepts

Les œuvres de l'auteur ont été publiées par les éditeurs suivants :

© Book1 Group - tous droits réservés.
Le contenu de ce site ne peut être copié ou utilisé, en tout ou en partie, sans l'autorisation écrite du propriétaire.
Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)