Avis des lecteurs
Il n'y a actuellement aucun avis de lecteur. La note est basée sur 2 votes.
Titre original :
Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status
Contenu du livre :
Depuis qu'un appareil à faisceau moléculaire a été utilisé pour la première fois avec succès par Cho et Arthur à la fin des années 1960 pour cristalliser et étudier les couches épaisses de GaAs, les techniques de croissance épitaxiale sous vide poussé utilisant des faisceaux de particules se sont développées rapidement. Ce développement s'est accéléré lorsque différents dispositifs semi-conducteurs avec des structures de puits quantiques ont été inventés dans les années 1970.
La mise en œuvre importante de ces structures dans des dispositifs tels que les lasers à puits quantiques, les transistors à haute mobilité électronique ou les photodiodes à avalanche à super-réseau a donné un élan supplémentaire aux travaux de recherche et à l'augmentation des objectifs de production. Parallèlement à cette évolution, le nombre d'articles de recherche originaux et de revues consacrés aux problèmes liés à ces techniques de croissance a également augmenté rapidement, et ils sont devenus très diversifiés. Actuellement, plusieurs centaines d'articles originaux sur ce sujet sont publiés chaque année dans la littérature.
En revanche, il n'existe pas de monographies exhaustives couvrant l'ensemble des problèmes liés à la croissance épitaxiale de films semi-conducteurs à partir de faisceaux atomiques et moléculaires. Ce livre, qui présente une revue de l'état de l'art de l'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE), appliquée à la croissance de films semi-conducteurs et de structures multicouches, peut servir au lecteur de guide général pratique sur les sujets liés à cette technique de cristallisation".
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9783642971006 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
Achat:
Actuellement disponible, en stock.
