Titre original :
Fully Depleted Silicon-On-Insulator: Nanodevices, Mechanisms and Characterization
Contenu du livre :
Fully Depleted Silicon-On-Insulator offre une présentation approfondie des concepts fondamentaux et pragmatiques de cette technologie de plus en plus importante.
Il existe deux technologies principales sur le marché des circuits CMOS avancés : les FinFET et le silicium sur isolant entièrement déplété (FD-SOI). Cette dernière est incontestée dans le domaine des circuits à faible consommation, à haute fréquence et de l'internet des objets (IOT). Le sujet est d'actualité au niveau de la recherche et du développement. Comparé aux livres existants sur les matériaux et dispositifs SOI, ce livre couvre de manière exhaustive le domaine FD-SOI.
Fully Depleted Silicon-On-Insulator est basé sur l'expertise de l'une des personnes les plus éminentes de la communauté, le Dr Sorin Cristoloveanu, lauréat du prix IEEE Andrew Grove 2017 "Pour ses contributions à la technologie du silicium sur isolant et aux dispositifs à corps mince." Dans ce livre, il partage des idées clés sur les aspects technologiques, les mécanismes de fonctionnement, les techniques de caractérisation et les applications émergentes les plus prometteuses.
Premiers éloges pour le Fully Depleted Silicon-On-Insulator "Il s'agit d'un excellent guide écrit pour tous ceux qui souhaitent étudier le SOI en profondeur, en se concentrant plus particulièrement sur le FD-SOI." -- Katsu Izumi, anciennement aux Laboratoires NTT et ensuite à l'Université de la Préfecture d'Osaka, Japon.
"La technologie FDSOI est sur le point d'occuper une part de plus en plus importante du marché des semi-conducteurs. Ce livre s'inscrit parfaitement dans ce nouveau paradigme (...) Il couvre de nombreux sujets relatifs au SOI qui n'ont jamais été décrits dans un livre auparavant". -- Professeur Jean-Pierre Colinge, anciennement chez TSMC puis au CEA-LETI, Grenoble, France.
"Ce livre, écrit par l'un des véritables experts et pionniers dans le domaine du silicium sur isolant, arrive à point nommé en raison de l'empreinte croissante du FD-SOI dans la technologie moderne du silicium, en particulier dans les applications IoT. Rédigé dans un style délicieusement informel mais complet dans sa couverture, le livre décrit à la fois la physique des dispositifs qui sous-tend la technologie FD-SOI et les dispositifs de pointe, peut-être même futuristes, qu'elle permet." -- Professeur Alexander Zaslavsky, Université de Brown, États-Unis.
"Un livre superbement écrit sur la technologie SOI par un maître en la matière". -- Professeur Yuan Taur, Université de Californie, San Diego, États-Unis.
"L'auteur est un chercheur de premier plan au niveau mondial dans le domaine de la technologie des dispositifs/processus SOI. Ce livre est son chef-d'œuvre et il est important pour les archives FD-SOI. Le lecteur apprendra beaucoup de ce livre". -- Professeur Hiroshi Iwai, Université nationale Yang Ming Chiao Tung, Taiwan.
De l'auteur "C'est au cours de notre guerre mondiale contre la terrifiante coalition de corona et d'insidieux virus informatiques que ce livre a été rédigé. L'éclairage continu du FD-SOI m'a aidé à traverser cette période noire et grise. J'ai partagé beaucoup de moi-même dans ce livre. La règle du jeu était de garder le texte léger malgré la lourdeur du contenu technique. Il y a même des hiéroglyphes FD-SOI provisoires sur la couverture, composés de courbes discutées dans le livre".
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780128196434 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Reliure : | Broché |
| Année de publication : | 2021 |
| Nombre de pages : | 384 |
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