Titre original :
Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications
Contenu du livre :
Les dispositifs SiC et GaN existent depuis un certain temps. La première conférence internationale consacrée au SiC et aux dispositifs connexes, « ICSCRM », s'est tenue à Washington, DC, en 1987.
Mais ce n'est que récemment que les dispositifs SiC et GaN ont été commercialisés. En raison de ses propriétés matérielles, le Si, en tant que semi-conducteur, est limité dans les régimes de haute température, de haute tension et de haute fréquence. Avec l'aide des dispositifs SiC et GaN, il est possible de réaliser des systèmes d'alimentation plus efficaces.
Les dispositifs fabriqués à partir de SiC et de GaN ont déjà eu un impact sur différents domaines grâce à leur capacité à surpasser les dispositifs Si. Parmi les exemples, citons les télécommunications, l'automobile/la locomotive, l'énergie et les énergies renouvelables.
Pour atteindre les objectifs fixés par différents pays en matière d'émissions de carbone, il est inévitable d'utiliser ces nouvelles technologies. Ce livre tente de couvrir toutes les facettes importantes liées à la technologie des semi-conducteurs à large bande interdite, y compris les nouveaux défis qu'elle pose.
Il s'adresse aux étudiants de troisième cycle, aux chercheurs, aux ingénieurs et aux experts en technologie qui travaillent dans les domaines passionnants des dispositifs de puissance SiC et GaN.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9781789236682 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
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