Réseaux de charges spatiales induits optiquement dans les semi-conducteurs à large bande interdite - Techniques et applications

Réseaux de charges spatiales induits optiquement dans les semi-conducteurs à large bande interdite - Techniques et applications (A Sokolov Igor)

Titre original :

Optically Induced Space-Charge Gratings in Wide-Bandgap Semiconductors - Techniques & Applications

Contenu du livre :

L'effet photoréfractif est l'un des effets optiques non linéaires les plus sensibles. Le rythme des progrès dans le développement des applications photoréfractives a été limité par la vitesse à laquelle les percées dans la science des matériaux ont fourni de meilleurs matériaux semi-conducteurs à large bande interdite.

Ces dernières années ont vu un regain d'intérêt pour la caractérisation de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite. L'enregistrement holographique dans des matériaux photoréfractifs à large bande interdite présente un intérêt particulier du point de vue scientifique et pratique. Un tel enregistrement comprend l'étape de la formation de charges spatiales, qui est associée à la redistribution spatiale des porteurs photoinduits.

Un certain nombre de nouvelles méthodes d'étude de la dynamique de la charge d'espace et de la photoconductivité dans les semi-conducteurs à large bande interdite ont été proposées ces dernières années. Ce livre traite de ce que l'on appelle l'effet photo-EMF à l'état non stationnaire et de ses applications pour la caractérisation des matériaux et l'interférométrie adaptative.

La première partie du livre traite de la théorie de l'effet photo-EMF à l'état instable. La deuxième partie décrit l'application de l'effet photo-EMF à l'état non stationnaire pour l'étude des semi-conducteurs à large bande interdite et des matériaux nanostructurés, y compris les sillénites photoréfractives cultivées dans l'air et l'atmosphère d'argon, le cristal moléculaire SnS2, les cristaux de nitrure de bore, le GaN et le Se de taille nanométrique dans des matrices poreuses, les cristaux de SiC, d'AlN et de Ga2O3. La troisième partie présente une analyse théorique et une étude expérimentale de la force photoélectromotrice à l'état non stationnaire et du mélange à deux ondes dans les cristaux photoréfractifs sous une illumination modulée en fréquence.

La dernière partie décrit les interféromètres adaptatifs utilisant l'effet de la force photo-électromotrice à l'état non stable. Ce livre a été écrit pour être accessible aux spécialistes travaillant dans les domaines de la physique de l'état solide, de la physique des semi-conducteurs et de l'interférométrie adaptative, des ultrasons basés sur le laser.

Autres informations sur le livre :

ISBN :9781536119442
Auteur :
Éditeur :
Sous-titre :Techniques & Applications
Reliure :Relié
Année de publication :2017
Nombre de pages :175

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Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)