Processus/outil manufacturable pour les portes d'entrée à haute teneur enκ/métal

Processus/outil manufacturable pour les portes d'entrée à haute teneur enκ/métal (Aarthi Venkateshan)

Titre original :

Manufacturable Process/Tool for high-κ/metal gate

Contenu du livre :

La puissance liée au courant de fuite à l'état bloqué domine le problème de la dissipation thermique CMOS des circuits intégrés en silicium les plus modernes. Dans cette étude, cette question a été abordée sous l'angle d'une technique de traitement de plaquette unique (SWP) à faible coût utilisant un seul outil pour la fabrication d'empilements de grilles à haut diélectrique pour les CMOS de moins de 45 nm.

Un système de dépôt photo-assisté monocouche a été modifié pour déposer des films de HfO2 de haute qualité avec une capacité de nettoyage, de dépôt de film d'oxyde et de recuit in situ. Le système a été automatisé avec Labview 8.2 pour l'alimentation en gaz/précurseurs, la température du substrat et la lampe UV. Les empilements d'oxyde d'or-hafnium-aluminium (Au-HfO2-Al) traités dans ce système présentaient des caractéristiques d'oxyde de qualité supérieure avec une densité de courant de fuite à la grille de l'ordre de 1 x 10-12 A/cm2 @ 1V et une capacité maximale de l'ordre de 75 nF pour EOT=0,39 nm.

L'obtention d'une faible densité de courant de fuite et d'une capacité élevée a démontré l'excellente performance du processus mis au point. Une étude détaillée des caractéristiques de dépôt telles que la linéarité, le comportement de saturation, l'épaisseur du film et la dépendance à la température a été réalisée pour un contrôle étroit des paramètres du processus.

En utilisant le plan d'expériences Box-Behnken, l'optimisation du processus a été réalisée pour obtenir une recette optimale pour les films de HfO2. Le traitement UV avec traitement in situ des empilements métal/diélectrique élevé a été étudié pour réduire la variation du courant de fuite et de la capacité de la grille. La microscopie électronique à transmission (MET) à haute résolution a été utilisée pour calculer l'épaisseur d'oxyde équivalente (EOT) et la constante diélectrique des films.

Dans l'ensemble, cette étude montre que la fabrication in situ d'empilements de grilles MIS permet de réduire les coûts de traitement, d'augmenter le rendement et d'améliorer les performances des dispositifs. ».

Autres informations sur le livre :

ISBN :9783836481564
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Éditeur :
Langue :anglais
Reliure :Broché

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Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)