Titre original :
New Memory Paradigms: Memristive Phenomena and Neuromorphic Applications: Faraday Discussion 213
Contenu du livre :
Dispositifs « intelligents » à l'échelle atomique, intelligence artificielle, fonctions neuromorphiques, opérations logiques et informatiques alternatives, nouveaux paradigmes de stockage de la mémoire, nanoélectronique ultra-rapide/bio-inspirée/flexible/transparente/efficace sur le plan énergétique - ces concepts contemporains sont les forces motrices du développement progressif de la science et de la technologie, reflétant les attentes de la société et résolvant ses problèmes. Inspirées par le concept du memristor (mémoire), les mémoires à accès aléatoire à commutation résistive (ReRAM) et les mémoires à changement de phase (PCM) basées sur l'oxydoréduction sont considérées comme capables d'effectuer toutes ces opérations et de remplir toutes ces fonctions. En outre, les chercheurs visent à utiliser ces systèmes mémoires pour activer les propriétés fondamentales de la vie, notamment l'ordre, la plasticité, la réponse aux stimuli, le métabolisme, l'homéostasie, la croissance et l'hérédité ou la reproduction, en se basant sur les fonctionnalités des systèmes biologiques.
Ce volume, qui réunit des experts de l'industrie et du monde universitaire, couvrira les principes fondamentaux ainsi que les exigences et les limites spécifiques, par exemple en ce qui concerne la sélection des matériaux, le traitement, les systèmes modèles appropriés, les exigences techniques et les applications potentielles des dispositifs, en fournissant une passerelle pour les terminologies, les théories, les modèles et les applications.
Les thèmes abordés dans ce volume sont les suivants :
ReRAMs à métallisation électrochimique (ECM)
ReRAM à changement de valence (VCM)
Mémoires à changement de phase (PCM)
Fonctions synaptiques et neuromorphiques.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9781788015257 |
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| Éditeur : | |
| Reliure : | Relié |
| Année de publication : | 2019 |
| Nombre de pages : | 450 |
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