Gallium Nitride and Related Materials II: Volume 468
Cet ouvrage de la MRS consacré aux nitrures III se concentre sur les développements de l'AlN, du GaN, de l'InN et de leurs alliages qui trouvent aujourd'hui des applications dans les lasers à courte longueur d'onde ( 400nm, cw à température ambiante) et dans l'électronique de haute puissance (2.
8W/mm à GHz). Des experts de domaines tels que la croissance cristalline, la théorie de la matière condensée, la chimie des sources, le traitement et la conception des dispositifs se réunissent dans ce volume pour aborder des questions à la fois scientifiques et technologiques.
Bien que la majeure partie de l'ouvrage fasse état des progrès réalisés dans la préparation des matériaux et la compréhension des problèmes liés aux défauts, des avancées similaires dans le traitement des matériaux et des dispositifs sont également présentées. Les sujets abordés sont les suivants : croissance et dopage, substrats et effets des substrats, caractérisation, traitement, performances et conception des dispositifs.
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Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)