Titre original :
Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics
Contenu du livre :
Le silicium-germanium (SiGe) nanostructuré ouvre la voie à de nouvelles performances électroniques améliorées, en particulier pour les dispositifs à semi-conducteurs. Les nanostructures de silicium-germanium (SiGe) passent en revue la science des matériaux des nanostructures, leurs propriétés et leurs applications dans différents dispositifs électroniques.
La première partie introductive couvre les propriétés structurelles des nanostructures SiGe, avec un chapitre supplémentaire traitant des structures de bandes électroniques des alliages SiGe. La deuxième partie se concentre sur la formation des nanostructures de SiGe, avec des chapitres sur les différentes méthodes de croissance cristalline telles que l'épitaxie par faisceaux moléculaires et le dépôt chimique en phase vapeur. Cette partie comprend également des chapitres sur l'ingénierie des déformations et la modélisation. La troisième partie couvre les propriétés matérielles des nanostructures de SiGe, avec des chapitres sur des sujets tels que les défauts induits par la déformation, les propriétés de transport, les microcavités et les structures laser à cascade quantique. La quatrième partie traite des dispositifs utilisant les alliages SiGe. Les chapitres couvrent les applications intégrées à très grande échelle, les MOSFET et l'utilisation du SiGe dans différents types de transistors et de dispositifs optiques.
Avec ses éditeurs distingués et son équipe de contributeurs internationaux, Silicon-germanium (SiGe) nanostructures est une référence standard pour les chercheurs qui se concentrent sur les dispositifs et les matériaux semi-conducteurs dans l'industrie et les universités, en particulier ceux qui s'intéressent aux nanostructures.
⬤ Il passe en revue la science des matériaux des nanostructures, leurs propriétés et leurs applications dans différents dispositifs électroniques.
⬤ Évalue les propriétés structurelles des nanostructures SiGe, en discutant des structures de bandes électroniques des alliages SiGe.
⬤ Examine la formation des nanostructures de SiGe à l'aide de différentes méthodes de croissance cristalline telles que l'épitaxie par faisceaux moléculaires et le dépôt chimique en phase vapeur.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780081017395 |
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| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
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