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Titre original :
Flash Memories
Contenu du livre :
Une mémoire Flash est une mémoire non volatile (NVM) dont les cellules unitaires sont fabriquées en technologie CMOS et programmées et effacées électriquement. En 1971, Frohman-Bentchkowsky a mis au point un transistor à grille en polysilicium foliant 1, 2, dans lequel des électrons chauds étaient injectés dans la grille flottante et éliminés soit par photoémission interne dans l'ultraviolet (UV), soit par effet tunnel de Fowler-Nordheim.
Il s'agit de la cellule unitaire de l'EPROM (Electrically Pro- grammable Read Only Memory) qui, constituée d'un seul transistor, peut être intégrée de manière très dense. Les mémoires EPROM sont programmées électriquement et effacées par exposition aux UV pendant 20 à 30 minutes. À la fin des années 1970, de nombreux efforts ont été déployés pour mettre au point une EPROM effaçable électriquement, ce qui a donné naissance aux EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROMs).
Les EEPROMs utilisent l'effet tunnel des électrons chauds pour la programmation et l'effet tunnel Fowler-Nordheim pour l'effacement. La cellule EEPROM se compose de deux transistors et d'un oxyde tunnel, ce qui la rend deux ou trois fois plus grande qu'une EPROM.
Par la suite, la combinaison de la programmation par porteuse chaude et de l'effacement par effet tunnel a été redécouverte pour réaliser une EEPROM à un seul transistor, appelée Flash EEPROM. La première cellule basée sur ce concept a été présentée en 1979 3 et le premier produit commercial, une puce mémoire de 256K, a été présenté par Toshiba en 1984 4.
Le marché n'a décollé que lorsque cette technologie s'est avérée fiable et fabricable 5.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780792384878 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
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