Titre original :
Microelectronic Materials and Processes
Contenu du livre :
L'objectif principal de l'intégration à très grande échelle (VLS ) est la miniaturisation des dispositifs afin d'augmenter la densité d'empaquetage, d'atteindre une vitesse plus élevée et de consommer moins d'énergie. La fabrication de circuits intégrés contenant plus de quatre millions de composants par puce avec des règles de conception de l'ordre du submicron a été rendue possible par l'introduction de conceptions de circuits innovantes et le développement de nouveaux matériaux et procédés microélectroniques.
Ce livre relève ce dernier défi en évaluant l'état actuel de la science et de la technologie associées à la production de circuits VLSI en silicium. Il représente l'effort cumulé d'experts du monde universitaire et de l'industrie qui ont uni leurs compétences pour offrir une vue d'ensemble et une mise à jour cohérente de ce domaine en pleine expansion. Un équilibre entre les contributions fondamentales et appliquées couvre les bases des matériaux microélectroniques et de l'ingénierie des procédés.
Les sujets relatifs à la science des matériaux comprennent le silicium, les siliciures, les résistances, les diélectriques et la métallisation des interconnexions. Les sujets relatifs à l'ingénierie des procédés comprennent la croissance cristalline, l'épitaxie, l'oxydation, le dépôt de couches minces, la lithographie fine, la gravure à sec, l'implantation d'ions et la diffusion.
D'autres sujets connexes tels que la simulation des procédés, les phénomènes de défauts et les techniques de diagnostic sont également abordés. Ce livre est le résultat d'un Institut d'études avancées (IA) parrainé par l'OTAN qui s'est tenu à Castelvecchio Pascoli, en Italie.
Les orateurs invités à cet institut ont fourni des manuscrits qui ont été édités, mis à jour et intégrés à d'autres contributions sollicitées auprès de non-participants à cet AS.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780792301479 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
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