Ingénierie des interfaces dans les transistors organiques à effet de champ

Ingénierie des interfaces dans les transistors organiques à effet de champ (Xuefeng Guo)

Titre original :

Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors

Contenu du livre :

Ingénierie des interfaces dans les transistors organiques à effet de champ

Résumé systématique des avancées dans le développement de méthodologies efficaces d'ingénierie d'interface dans les transistors organiques à effet de champ, des modèles aux techniques expérimentales.

Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors couvre l'état de l'art dans le domaine des transistors organiques à effet de champ et passe en revue le transport de charge aux interfaces, les concepts de conception et les processus de fabrication des dispositifs, et donne une perspective sur le développement des futurs dispositifs optoélectroniques.

Ce livre commence par une vue d'ensemble des méthodes couramment adoptées pour obtenir diverses interfaces semi-conducteur/semiconducteur et des mécanismes de transport de charge à ces interfaces hétérogènes. Il couvre ensuite la modification des interfaces semi-conducteur/électrode, qui permet d'ajuster la fonction de travail des électrodes et de révéler les mécanismes d'injection de charge aux interfaces.

La physique du transport de charges à l'interface semi-conducteur/diélectrique est examinée en détail. Le livre décrit l'effet remarquable de la modification de la SAM sur la morphologie du film semi-conducteur et donc sur les performances électriques. En particulier, des analyses précieuses de l'ingénierie du piégeage/dépiégeage des charges à l'interface pour réaliser de nouvelles fonctions sont résumées.

Enfin, les mécanismes de détection qui se produisent aux interfaces semi-conducteur/environnement des OFET et les méthodes de détection uniques capables d'interfacer l'électronique organique avec la biologie sont discutés.

Les exemples spécifiques de sujets couverts dans Ingénierie des interfaces dans les transistors organiques à effet de champ comprennent : Méthodes de modification non covalente, couche d'insertion de charge à la surface de l'électrode, méthodes de passivation de la surface diélectrique et méthodes de modification covalente Mécanisme de transport de charge dans les semi-conducteurs en vrac, influence des additifs sur la nucléation et la morphologie des matériaux, additifs de solvant et agents de nucléation Effet de nanoconfinement, Amélioration des performances grâce aux hétérojonctions de semi-conducteurs, à l'hétérostructure bicouche plane, au complexe de transfert de charge ambipolaire et à l'arrangement supramoléculaire des hétérojonctions Effet diélectrique dans les OFET, modification diélectrique pour ajuster la morphologie des semi-conducteurs, contrôle de l'énergie de surface, conception de la microstructure, cisaillement de la solution, élimination des pièges interfaciaux, et diélectriques SAM/SiO2

Une ressource opportune fournissant les derniers développements dans le domaine et mettant l'accent sur de nouvelles idées pour construire des dispositifs électroniques organiques fiables, Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors est essentiel pour les chercheurs, les scientifiques et les autres professionnels liés à l'interface dans les domaines de l'électronique organique, de la nanoélectronique, de la science des surfaces, des cellules solaires et des capteurs.

Autres informations sur le livre :

ISBN :9783527351459
Auteur :
Éditeur :
Langue :anglais
Reliure :Relié
Année de publication :2023
Nombre de pages :272

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Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)