Titre original :
Thermal Management of Gallium Nitride Electronics
Contenu du livre :
Thermal Management of Gallium Nitride Electronics présente les approches techniques adoptées par les leaders de la communauté, les défis qu'ils ont relevés et les avancées qui en ont résulté dans le domaine. Ce livre constitue une référence unique pour les chercheurs en semi-conducteurs composés chargés de résoudre ce défi technique pour les futurs systèmes de matériaux basés sur des semi-conducteurs à bande interdite ultra-large.
Un certain nombre de perspectives sont incluses, telles que les méthodes de croissance du diamant nanocristallin, l'intégration des matériaux du diamant polycristallin par collage de tranches, et la nouvelle physique du transport thermique à travers des interfaces hétérogènes. Au cours des dix dernières années, les auteurs du livre ont réalisé des expériences pionnières dans l'intégration de couches de recouvrement en diamant nanocristallin dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs composés. D'importants efforts de recherche sur l'intégration du diamant et du GaN ont été rapportés par un certain nombre de groupes depuis lors, ce qui a donné lieu à des options de gestion thermique active qui n'entraînent pas nécessairement une baisse des performances pour éviter l'auto-échauffement pendant le fonctionnement de ces dispositifs en radiofréquence ou en commutation de puissance.
L'auto-échauffement fait référence à l'augmentation de la température du canal causée par l'augmentation du transfert d'énergie des électrons vers le réseau à haute puissance. Ce livre fait la chronique de ces percées.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780128210840 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
| Année de publication : | 2022 |
| Nombre de pages : | 560 |
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