Titre original :
Radiation Effects in Silicon Carbide
Contenu du livre :
Ce livre passe en revue les publications les plus intéressantes, selon l'auteur, concernant les défauts de radiation formés dans le 6H-, 4H- et 3C-SiC sous irradiation d'électrons, de neutrons et de certains types d'ions. Au début, les paramètres électriques du SiC qui rendent ce matériau prometteur pour une application dans l'électronique moderne sont discutés. Les caractéristiques spécifiques de la structure cristalline du SiC sont également examinées. Il est démontré que, lors de l'étude des semi-conducteurs à large bande interdite, il est nécessaire de prendre en compte la dépendance de la température du taux d'élimination des porteurs (ηe), qui est un paramètre standard pour déterminer la dureté aux radiations des semi-conducteurs. Les valeurs ηe obtenues par irradiation de divers polytypes de SiC avec une conductivité de type n et p sont analysées en fonction du type et de l'énergie des particules irradiantes. Les mécanismes physiques possibles de compensation du matériau donné sont pris en compte. L'influence exercée par l'énergie des particules chargées sur la formation des défauts de radiation et la compensation de la conductivité dans les semi-conducteurs soumis à l'irradiation est analysée.
En outre, la possibilité de produire une transformation contrôlée du polytype de carbure de silicium est envisagée. L'implication des défauts de rayonnement dans les processus de recombinaison radiative et non radiative dans le SiC est analysée.
Des données sont également présentées concernant la dégradation de certains dispositifs électroniques en SiC sous l'influence des radiations et une conclusion est tirée concernant la résistance aux radiations du SiC. Enfin, la dureté aux radiations des dispositifs basés sur le silicium et le carbure de silicium est comparée.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9781945291104 |
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| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
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