Titre original :
Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications
Contenu du livre :
DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS AVANCÉS DE TRÈS FAIBLE PUISSANCE
Rédigé et édité par une équipe d'experts dans le domaine, ce nouveau volume important couvre largement la conception et les applications des transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique.
Ce nouveau volume exceptionnel offre une vue d'ensemble complète des composants semi-conducteurs de pointe conçus pour les applications à très faible consommation d'énergie. Ces composants, qui sont à la base des dispositifs électroniques, jouent un rôle central dans l'évolution de l'électronique. En mettant l'accent sur les dispositifs électroniques émergents à faible consommation et leurs applications dans des domaines tels que les communications sans fil, la biodétection et les circuits, ce livre constitue une ressource inestimable pour comprendre ce domaine dynamique.
Réunissant des experts et des chercheurs issus de différentes facettes du domaine VLSI, ce livre aborde les défis posés par les dispositifs avancés à faible consommation d'énergie. Cet effort de collaboration a pour but de propulser les innovations techniques et d'affiner la mise en œuvre pratique de ces technologies. Des chapitres spécifiques se penchent sur des sujets complexes tels que les FET à tunnel, les circuits de FET à capacité négative et les FET avancés conçus pour diverses applications de circuits.
Au-delà des discussions centrées sur les dispositifs, le livre se penche sur les subtilités de la conception des systèmes de mémoire à faible consommation, sur le domaine fascinant de l'informatique neuromorphique et sur la question cruciale de la fiabilité thermique. Les auteurs fournissent une base solide en physique des dispositifs et en circuits, tout en explorant de nouveaux matériaux et de nouvelles architectures, comme les transistors construits à partir de matériaux diélectriques et de canaux pionniers. Cette exploration est motivée par la nécessité de parvenir à la fois à une consommation d'énergie minimale et à des vitesses de commutation ultra-rapides, afin de répondre aux demandes incessantes de l'industrie des semi-conducteurs. Le livre couvre des concepts tels que MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, les nœuds technologiques de 5 et 7 nm, NCFET, les matériaux ferroélectriques, l'oscillation sous le seuil, les matériaux high-k, ainsi que les matériaux avancés et émergents essentiels pour l'avenir de l'industrie des semi-conducteurs.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9781394166411 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
| Année de publication : | 2023 |
| Nombre de pages : | 320 |
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