Titre original :
Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications
Contenu du livre :
Les nouveaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) ont le potentiel de faire progresser l'industrie mondiale de la même manière qu'il y a plus de 50 ans, l'invention de la puce en silicium (Si) a permis l'avènement de l'ère de l'informatique moderne. Les dispositifs à base de SiC et de GaN commencent à être commercialisés.
Plus petits, plus rapides et plus efficaces que leurs homologues à base de silicium, ces dispositifs WBG offrent également une plus grande fiabilité attendue dans des conditions de fonctionnement plus difficiles. En outre, dans ce cadre, une nouvelle classe de matériaux semi-conducteurs de qualité microélectronique qui ont une bande interdite encore plus grande que les semi-conducteurs à large bande interdite précédemment établis, tels que le GaN et le SiC, a été créée et est donc appelée matériaux "à bande interdite ultra-large". Ces matériaux, qui comprennent l'AlGaN, l'AlN, le diamant, le Ga2O3 et le BN, offrent des propriétés théoriquement supérieures, notamment un champ de claquage critique plus élevé, une température de fonctionnement plus élevée et une tolérance aux rayonnements potentiellement plus élevée.
Ces attributs, à leur tour, rendent possible l'utilisation de nouveaux dispositifs révolutionnaires pour les environnements extrêmes, tels que les transistors de puissance à haut rendement, en raison de l'amélioration du facteur de mérite de Baliga, les commutateurs de puissance pulsée à ultra-haute tension, les LED UV à haut rendement et l'électronique. Ce numéro spécial vise à rassembler des articles de recherche de haute qualité, des communications courtes et des articles de synthèse qui se concentrent sur la conception, la fabrication et la caractérisation avancée des dispositifs à large bande interdite.
Ce numéro spécial publiera également des articles sélectionnés lors du 43e atelier sur les dispositifs à semi-conducteurs composés et les circuits intégrés, organisé en France (WOCSDICE 2019), qui réunit des scientifiques et des ingénieurs travaillant dans le domaine des dispositifs à semi-conducteurs III-V, et autres composés, et des circuits intégrés. En particulier, les sujets suivants sont abordés : - Dispositifs à base de GaN et SiC pour les applications de puissance et optoélectroniques - Développement de substrats Ga2O3, et croissance de couches minces Ga2O3, dopage, et dispositifs - Matériau émergent à base d'AlN et dispositifs - Croissance épitaxiale BN, caractérisation, et dispositifs.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9783036505664 |
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| Reliure : | Relié |
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