Titre original :
Point defects in group IV semiconductors: common structural and physico-chemical aspects
Contenu du livre :
Un modèle microscopique autoconsistant de défauts ponctuels individuels et réagissant nécessite une connexion fiable avec les propriétés structurelles, spectroscopiques et thermodynamiques déduites expérimentalement des centres de défauts, afin de permettre leur identification sans ambiguïté.
Le but de ce livre est de se concentrer sur les propriétés des défauts dans les semi-conducteurs du quatrième groupe sous une approche physico-chimique, capable de démontrer si la pleine reconnaissance de leur nature chimique pourrait expliquer plusieurs problèmes rencontrés dans la pratique ou suggérerait d'autres réalisations expérimentales ou théoriques.
Il sera montré à quel point il peut être difficile de remplir les conditions d'autoconsistance, même aujourd'hui, après plus de quatre décennies de travaux de recherche dédiés, en particulier dans le cas des semi-conducteurs composés (SiC dans ce livre), mais aussi dans les cas apparemment les plus simples du silicium et du germanium, également parce que les modèles microscopiques ne tiennent pas compte, en jet, des interactions entre les défauts dans les solides réels.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9781945291227 |
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| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
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