Sic Power Module Design: Performance, Robustness and Reliability
Les dispositifs de commutation à semi-conducteurs de puissance sont au cœur des convertisseurs électroniques de puissance.
La technologie conventionnelle du silicium (Si) présente des limites physiques qui deviennent un obstacle à l'amélioration des performances. Les dispositifs à semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) offrent un rendement plus élevé, une taille plus petite, un poids plus léger et/ou une durée de vie plus longue.
Ce livre décrit les nouveaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), en particulier les MOSFET de puissance et les diodes en carbure de silicium (SiC). Il couvre la conception et l'assemblage des modules de puissance SiC, les performances, la robustesse et la fiabilité, ainsi qu'un certain nombre d'études de cas pratiques, et sert de référence pour les méthodologies et les outils de prototypage.
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Dernière modification: 2024.11.14 07:32 (GMT)