Titre original :
Design of GaN-based components and application to high-power antenna
Contenu du livre :
Ce travail démontre la faisabilité de l'utilisation de la technologie du nitrure de gallium (GaN) dans les systèmes RF reconfigurables.
Les diodes varactors et les circuits de commutation à base de GaN sont considérés comme des candidats prometteurs pour les applications haute puissance/haute fréquence. La première partie est consacrée au développement de dispositifs actifs en GaN.
Les composants actifs ont été réalisés à l'aide du procédé GaN HEMTs du Conseil national de recherches du Canada (CNRC). Sur la base de trois processus, tels que GaN150v0 (longueur de grille de 0,15um), GaN500v1 et GaN500v2 (tous deux avec une longueur de grille de 0,5um), de nombreuses diodes varactors de tailles différentes ont été fabriquées et caractérisées par des mesures DC et RF à petit signal et à grand signal. Ensuite, les diodes varactors ont été modélisées par des équations analytiques contenant des coefficients empiriques.
Ces expressions ont été introduites pour la première fois pour la dépendance en tension de la capacité équivalente (CEq) et de la résistance série (REq) et peuvent être utilisées comme modèle général pour représenter le comportement non linéaire des varactors à base de GaN. Pour le fonctionnement à petit signal, toutes les équations développées décrivant REq et CEq ne dépendent que de la tension de polarisation et de la géométrie du dispositif.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9786202268110 |
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| Langue : | anglais |
| Reliure : | Broché |
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