Titre original :
Silicon Carbide: Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Contenu du livre :
Le carbure de silicium (SiC) et ses polytypes, utilisés principalement pour le broyage et les céramiques à haute température, font partie de la civilisation humaine depuis longtemps. La capacité inhérente des dispositifs en carbure de silicium à fonctionner à des températures élevées et sous des tensions élevées avec un rendement plus élevé et une empreinte environnementale plus faible que les dispositifs à base de silicium fait que le carbure de silicium est sur le point de devenir le matériau de choix pour l'électronique et l'optoélectronique de haute puissance.
Plus important encore, le SiC est en passe de devenir un modèle pour la fabrication du graphène et un matériau pour la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs de moins de 32 nm. Il est donc de plus en plus évident que les systèmes électroniques en SiC domineront les nouvelles technologies de l'énergie et des transports du 21e siècle. Dans les 21 chapitres du livre, l'accent a été mis sur les aspects liés aux matériaux et à leur évolution.
À cette fin, environ 70 % du livre traite de la théorie, de la croissance cristalline, des défauts, des propriétés de surface et d'interface, de la caractérisation et des questions de traitement relatives au SiC. Les 30 % restants couvrent les aspects relatifs aux dispositifs électroniques de ce matériau.
Dans l'ensemble, ce livre constituera une référence précieuse pour les chercheurs en SiC dans les années à venir. Ce livre couvre de manière prestigieuse notre compréhension actuelle du SiC en tant que matériau semi-conducteur dans l'électronique.
Cet ouvrage s'adresse principalement aux étudiants, aux chercheurs, aux ingénieurs en matériaux et en chimie, aux fabricants de semi-conducteurs et aux professionnels qui s'intéressent au carbure de silicium et à son évolution constante.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9789533079684 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
| Année de publication : | 2011 |
| Nombre de pages : | 560 |
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