Titre original :
Electrical and Thermal Characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs
Contenu du livre :
Ce travail fournit une discussion complète sur la dépendance du biais des paramètres du circuit équivalent pour les trois dispositifs et une discussion approfondie sur la dépendance de la température.
Il couvre les MESFET gravés et les MESFET auto-alignés avec et sans drains légèrement dopés et les JFET, analyse les circuits équivalents des pHEMTS à base de GaAs et des HEMT à maillage InP et décrit un extracteur de modèle à grand signal et dépendant de la température pour les HBT A1GaAs-GaAs. Ce livre s'adresse aux concepteurs de circuits, aux développeurs de processus et de dispositifs et aux ingénieurs d'essai.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9780890067499 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
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