Titre original :
Bsim4 and Mosfet Modeling for IC Simulation
Contenu du livre :
Ce livre présente l'art de la modélisation avancée des transistors MOSFET pour la simulation et la conception de circuits intégrés.
Il fournit les analyses mathématiques et physiques essentielles de tous les effets électriques, mécaniques et thermiques des transistors MOS pertinents pour le fonctionnement des circuits intégrés. L'accent est mis en particulier sur la façon dont le modèle BSIM a évolué pour devenir le tout premier modèle SPICE MOSFET standard de l'industrie pour la simulation de circuits et le développement de la technologie CMOS.
La discussion couvre la théorie et la méthodologie de la façon dont un modèle MOSFET, ou des modèles de dispositifs semi-conducteurs en général, peuvent être mis en œuvre pour être robustes et efficaces, transformant la théorie de la physique des dispositifs en un modèle de simulation SPICE digne d'être produit. Une attention particulière est accordée à la caractérisation des MOSFET et aux méthodologies d'extraction des paramètres du modèle, ce qui rend le livre particulièrement utile pour ceux qui sont intéressés ou déjà engagés dans des travaux dans les domaines des dispositifs à semi-conducteurs, de la modélisation compacte pour la simulation SPICE, et de la conception de circuits intégrés.
Autres informations sur le livre :
| ISBN : | 9789812568632 |
| Auteur : | |
| Éditeur : | |
| Langue : | anglais |
| Reliure : | Relié |
| Année de publication : | 2011 |
| Nombre de pages : | 436 |
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